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IRF9540N 详细信息

国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。

这益处，结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，

为设计者提供用一个非常有效和可靠的装置，用于使用在各种各样的应用中。

IRF9540N在TO- 220封装普遍的所有商业工业应用的功率耗散水平到约50瓦。

低热电阻和TO- 220封装的低费用促进整个公司的广泛认可业。

IRF9540N 技术参数

通道类型:P

连续漏极电流:23 A

漏源电压:100 V

漏源电阻值:117 mΩ

栅阈值电压:4V

栅阈值电压:2V

栅源电压:-20 V、+20 V

封装类型:TO-220AB

安装类型:通孔

引脚数目:3

晶体管配置:单

通道模式:增强

类别:功率 MOSFET

功率耗散:140 W

典型栅极电荷@Vgs:97 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds:1300 pF@ 25 V

晶体管材料:Si

典型接通延迟时间:15 nS

典型关断延迟时间:51 nS

每片芯片元件数目:1

工作温度:-55 °C

工作温度:+175 °C

高度:8.77mm

系列:HEXFET

IRF9540N 实拍图

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