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IR2111S 详细信息

该IR2111 （ S）是一种高电压，高转速动力MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖性高，

低侧参考输出通道设计为半桥的应用。专有的HVIC和锁存器免疫CMOS技术使加固单片式结构。

逻辑输入与兼容标准CMOS输出。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，

驱动器跨导。提供内部死区时间为避免直通输出半桥。

该浮动通道可以用来驱动一个N沟道在工作频率高达600伏的高压侧配置功率MOSFET或IGBT 。

IR2111S 技术参数

驱动配置 : 半桥

通道类型 : 同步

驱动器数 : 2

栅极类型 : IGBT，N 沟道 MOSFET

电压 - 电源 : 10V ~ 20V

逻辑电压 - VIL，VIH : 8.3V，12.6V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） : 250mA，500mA

输入类型 : 非反相

高压侧电压 - 值（自举） : 600V

上升/下降时间（典型值） : 80ns，40ns

工作温度 : -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 : 8-SOIC

IR2111S 实拍图

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